热敏电阻是开发早、种类多、发展较成熟的敏感元器件．热敏电阻由半导体陶瓷材料组成，利用的原理是温度引起电阻变化．若电子和空穴的浓度分别为n、p，迁移率分别为μn、μp，则半导体的电导为：
σ=q（nμn+pμp）
因为n、p、μn、μp都是依赖温度T的函数，所以电导是温度的函数，因此可由测量电导而推算出温度的高低，并能做出电阻-温度特性曲线．这就是半导体热敏电阻的工作原理．
热敏电阻包括正温度系数（PTC）和负温度系数（NTC）热敏电阻，以及临界温度热敏电阻（CTR）．它们的电阻-温度特性如图1所示．热敏电阻的主要特点是：①灵敏度较高，其电阻温度系数要比金属大10～100倍以上，负温度系数热敏电阻供应，能检测出10-6℃的温度变化；②工作温度范围宽，常温器件适用于-55℃～315℃，高温器件适用温度高于315℃（目前可达到2000℃），低温器件适用于-273℃～55℃；③体积小，能够测量其他温度计无法测量的空隙、腔体及生物体内血管的温度；④使用方便，电阻值可在0.1～100kΩ间任意选择；⑤易加工成复杂的形状，可大批量生产；⑥稳定性好、过载能力强．
由于半导体热敏电阻有的性能，所以在应用方面，它不仅可以作为测量元件（如测量温度、流量、液位等），还可以作为控制元件（如热敏开关、限流器）和电路补偿元件．热敏电阻广泛用于家用电器、电力工业、通讯、科学、宇航等各个领域，发展前景***广阔
负温度系数热敏电阻的设计思路主要基于其的电阻随温度变化的特性。在设计过程中，首先需要选用具有负温度系数特性的半导体材料，如氧化物、氟化物、化物等，作为电阻元件。这些材料在温度升高时，由于自由电子浓度增加，电阻值会随之降低，反之则升高。
其次，为了进一步优化热敏电阻的性能，通常会使用掺杂剂，如钴、镍、铁、铜等，来改变半导体材料的导电性能。掺杂剂能够影响半导体材料的能带结构，进而调整自由电子的浓度和电阻值，使其更符合设计要求。
此外，在设计过程中还需考虑热敏电阻的封装形式、尺寸以及工作环境等因素。例如，为了实现对半导体敏感部件的高精度温度监测，可以将热敏电阻直接置于微控制器及电路板上的其他热点附近。同时，长安负温度系数热敏电阻，对于需要在高温高湿环境下使用的热敏电阻，应采用护套型设计，以保护其免受环境因素的影响。
，负温度系数热敏电阻的设计还需考虑其温度响应速度、重复性、价格等因素，以满足不同应用场景的需求。通过合理的材料选择、掺杂剂调整以及封装设计，可以制得性能稳定、响应迅速的负温度系数热敏电阻，广泛应用于温度测量和控制领域。
从电路中可以看出，消磁线圈L1、消磁电阻R3和继电器K1常闭触点串联后，接在220V交流电路中，消磁电路由继电器K1控制是否投入消磁工作状态。而继电器K1的工作状态受VT1驱动管控制，VT1基级通过R1与微处理器A1的24脚消磁控制端相连，所以驱动管VT1受微处理器A1的24脚输出的高或低电平控制。
开机瞬间，A1的24脚输出一个约4.8V高电平信号，通过电阻R1加到VT1基级，VT1基级与地之间接有电容C1。由于电容C1两端电压不能突变，C1内部无电荷，这样VT1基级在开机瞬间仍然为0V，VT1仍然保持截止状态，继电器K1常闭触点仍然保持接通，这样消磁线圈L1和消磁电阻R3回路流有交流50Hz消磁电流，负温度系数热敏电阻订制，开始消磁。随着消磁电流流过PTC热敏电阻R3，其温度升高，阻值增大，且R3温度愈高阻值愈大，这样使的消磁线圈的电流幅度从大到小地衰减，完成对显像管开机时的消磁工作。
随着开机后微处理器A1的24脚输出高电平通过电阻R1对C1充电的进行，由于R1和C1充电时间常数很大，这样VT1基级电压从0V上升的时间较长。当电容C1充电完毕，负温度系数热敏电阻生产厂家，VT1基级为高电平，使VT1从截止转入导通状态。
VT1导通后，继电器K1动作，从常闭状态转换成常开状态，这时常闭触点断开，将消磁电阻R3和消磁线圈L1回路断电，消磁线圈L1中无电流流过，这时也是消磁完成的时刻，完成了消磁电路的切断控制。之后，电视机正常工作，消磁线圈L1中无电流，只是继电器K1中存在较小的维持电流，从而避免了普通彩色电视机在工作中消磁电阻一直处于微工作状态，这样可以延长PTC消磁电阻R3的使用寿命。
